Close
(0) items
Ваша корзина пуста.
все категории
    Filters
    Preferences
    Поиск
    Производитель: GOODRAM

    GoodRam 4GB GR2666S464L19S/4G


    €18,83 с налогом

    Артикул: ST03030038
    Код производителя: GR2666S464L19S/4G
    Сайт производителя
    гарантия: 12 месяцы
    *
    Склад Доставка Наличие Цена
    LV
    PL
    LT

    Характеристики
    Тип памяти DDR4
    Тип памяти SO-DIMM
    Встроенная память 4 GB
    KIT Single module
    Internal memory4 GB
    Memory layout (modules x size)1 x 4 GB
    Internal memory typeDDR4
    Memory clock speed2666 MHz
    Component forLaptop
    Memory form factor260-pin SO-DIMM
    ECCNo
    Buffered memory typeUnregistered (unbuffered)
    CAS latency19
    Memory channelsSingle-channel
    Memory voltage1.2 V
    Module configuration512M x 8
    Package typeBlister
    Harmonized System (HS) code84733020
    Description
    Goodram GR2666S464L19S/4G. Component for: Laptop, Internal memory: 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Internal memory type: DDR4, Memory clock speed: 2666 MHz, Memory form factor: 260-pin SO-DIMM, CAS latency: 19
    Description
    Pielietojums: portatīvajam datoram (SODIMM), Moduļu skaits: 1, Atmiņas tips: DDR4, Atmiņas apjoms: 4 GB, Frekvence: 2666 Mhz, CL rādītājs: CL19, Spriegums: 1.2 V, Garantija: 2 gadi
    Weight0.05
    Gross weight0.165
    Description

    Применение: для портативного компьютера (SODIMM),

    Количество модулей: 1,

     Тип памяти: DDR4,

    Объем памяти: 4 ГБ,

    Частота: 2666 МГц,

    Оценка CL: CL19,

    Напряжение: 1.2 V.

    Pielietojums: portatīvajam datoram (SODIMM),

    Moduļu skaits: 1,

     Atmiņas tips: DDR4,

    Atmiņas apjoms: 4 GB,

    Frekvence: 2666 Mhz,

    CL rādītājs: CL19,

    Spriegums: 1.2 V.

    Применение: для портативного компьютера (SODIMM),

    Количество модулей: 1,

     Тип памяти: DDR4,

    Объем памяти: 4 ГБ,

    Частота: 2666 МГц,

    Оценка CL: CL19,

    Напряжение: 1.2 V.


    Характеристики
    Тип памяти DDR4
    Тип памяти SO-DIMM
    Встроенная память 4 GB
    KIT Single module
    Internal memory4 GB
    Memory layout (modules x size)1 x 4 GB
    Internal memory typeDDR4
    Memory clock speed2666 MHz
    Component forLaptop
    Memory form factor260-pin SO-DIMM
    ECCNo
    Buffered memory typeUnregistered (unbuffered)
    CAS latency19
    Memory channelsSingle-channel
    Memory voltage1.2 V
    Module configuration512M x 8
    Package typeBlister
    Harmonized System (HS) code84733020
    Description
    Goodram GR2666S464L19S/4G. Component for: Laptop, Internal memory: 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Internal memory type: DDR4, Memory clock speed: 2666 MHz, Memory form factor: 260-pin SO-DIMM, CAS latency: 19
    Description
    Pielietojums: portatīvajam datoram (SODIMM), Moduļu skaits: 1, Atmiņas tips: DDR4, Atmiņas apjoms: 4 GB, Frekvence: 2666 Mhz, CL rādītājs: CL19, Spriegums: 1.2 V, Garantija: 2 gadi
    Weight0.05
    Gross weight0.165
    Description

    Применение: для портативного компьютера (SODIMM),

    Количество модулей: 1,

     Тип памяти: DDR4,

    Объем памяти: 4 ГБ,

    Частота: 2666 МГц,

    Оценка CL: CL19,

    Напряжение: 1.2 V.

    Pielietojums: portatīvajam datoram (SODIMM),

    Moduļu skaits: 1,

     Atmiņas tips: DDR4,

    Atmiņas apjoms: 4 GB,

    Frekvence: 2666 Mhz,

    CL rādītājs: CL19,

    Spriegums: 1.2 V.

    Применение: для портативного компьютера (SODIMM),

    Количество модулей: 1,

     Тип памяти: DDR4,

    Объем памяти: 4 ГБ,

    Частота: 2666 МГц,

    Оценка CL: CL19,

    Напряжение: 1.2 V.

    Последние